含柱状缺陷的 YxTm1-xBa2Cu3O7 单晶中临界电流、锁定力与不可逆电场
超导电性
2009-10-31 v1
摘要
我们研究了重离子 (Kr) 辐照产生的柱状缺陷对单晶 YxTm1-xBa2Cu3O7 临界参数的影响。在 4.2 - 90 K 的温度范围内，用脉冲场至 50 T 的磁化测量表明：(i) 在场强 H<=Hc2 时临界电流 Jc(H,T) 显著增强；(ii) 在 T~40 K 以下不可逆电场 Hirr(T) 强度显著提高。Jc(H,T) 和 Hirr(T) 增强的场范围和大小随辐照剂量增加而增大。为解释这些现象，定义了有效匹配场。此外，引入柱状缺陷还会定性地改变锁定力 fp。由于非晶缺陷对通量线的更强锁定，辐照后临界参数大大超过生长后无缺陷材料：Jc,irrad(77 K, 5 T) ≈ 3×10^2 Jc,ref(77 K, 5 T)。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9902323,
title = {Critical Currents, Pinning Forces and Irreversibility Fields in (YxTml-x)Ba2Cu3O7 Single Crystals with Columnar Defects in Fields up to 50 T},
author = {L. Trappeniers and J. Vanacken and L. Weckhuysen and K. Rosseel and A. Yu. Didyk and I. N. Goncharov and L. I. Leonyuk and W. Boon and F. Herlach and V. V. Moshchalkov and Y. Bruynseraede},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9902323},
year = {2009}
}
备注
11 pages, all PDF, contribution to Physica C