通过工程化混合纳米尺度缺陷结构调控外延 NdBa2Cu3O7-x 薄膜中的磁通钉扎
超导电性
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
制备了具有混合纳米尺度缺陷结构的外延 NdBa2Cu3O7-x 薄膜，该结构由沿薄膜一半厚度 c 轴方向排列、在另一半厚度中垂直于 c 轴排列的 BaZrO3 纳米点阵列组成。透射电子显微镜图像证实了纳米尺度缺陷结构的取向。在 77 K、1 T 条件下，临界电流密度 Jc 的角度依赖性显示出 Jc 的角度变化显著减小。这项研究很好地展示了如何通过调控薄膜内的纳米尺度缺陷结构来调节钉扎特性。
引用
@article{arxiv.0809.3974,
title = {Tuning flux-pinning in epitaxial NdBa2Cu3O7-x films via engineered, hybrid nanoscale defect structures},
author = {Sung Hun Wee and Amit Goyal and Yuri L. Zuev and Claudia Cantoni},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.3974},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 3figures, submitted to Applied Physics Express