NbN工程薄膜中的涡旋匹配效应
超导电性
2009-07-01 v2 材料科学
摘要
我们报道了在NbN薄膜上制备的反点阵列中稳健的涡旋匹配效应。场扫描方向之间几乎不存在磁滞，表明主体薄膜中的残余钉扎可忽略不计。由于NbN薄膜的相干长度非常小（），这些观测结果表明，在适当制备的结构中，有可能在真正的纳米尺度上探测涡旋物理。
引用
@article{arxiv.0903.4224,
title = {Vortex matching effect in engineered thin films of NbN},
author = {Ajay D. Thakur and Shuuichi Ooi and Subbaiah P. Chockalingam and John Jesudasan and Pratap Raychaudhuri and Kazuto Hirata},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.4224},
year = {2009}
}
备注
Submitted to Appl. Phys. Lett