Nb 薄膜经纳米孔阵列图案化后的超导转变与涡旋锁定
超导电性
2009-11-07 v1
摘要
我们制造了含有直径为45 nm、间距为100 nm的孔洞扩展阵列的 Nb 薄膜，采用氧化铝(AAO)作为基底。在最高可达9 kOe的场下，观察到磁化和Little-Parks振荡中显著的匹配效应。与非图案化参考样品相比，在应用场超过5 kOe时，图案化样品的涡旋锁定提高了两个数量级。由于孔洞间距极小，匹配效应在4.2 K以下仍是涡旋锁定的主要贡献。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0204535,
title = {Superconducting Transition and Vortex Pinning in Nb Films Patterned with Nano-scale Hole-arrays},
author = {U. Welp and Z. L. Xiao and J. S. Jiang and V. K. Vlasko-Vlasov and S. D. Bader and G. W. Crabtree and J. Liang and H. Chik and J. M. Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204535},
year = {2009}
}