低屈曲 Dirac 材料中的光致自旋与谷依赖 Seebeck 效应
介观与纳米尺度物理
2020-11-03 v1
摘要
采用 Landauer-Buttiker 公式，我们研究了低屈曲 Dirac 材料（LBDMs）中 Seebeck 效应的自旋和谷依赖性，其能带结构由局部施加栅极电压和非共振圆偏振光调制。我们计算了在线性区域内，辐照 LBDM 的电荷、自旋和谷 Seebeck 系数作为电子掺杂、光强和电场强度的函数。我们的计算表明，所有 Seebeck 系数相对于化学势始终表现出奇对称特性。此外，我们表明，由于 LBDMs 中存在强自旋轨道耦合，辐照 LBDMs 中产生的热电压是自旋极化的；如果同时施加栅极电压，它也可以变为谷极化的。研究还发现，通过反转光的圆偏振或反转电场方向（仅通过反转光的圆偏振），可以反转感应热电压的谷（自旋）极化。
引用
@article{arxiv.1709.10357,
title = {Photo-induced spin and valley-dependent Seebeck effect in the low-buckled Dirac materials},
author = {Yawar Mohammadi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.10357},
year = {2020}
}
备注
25 pages, 8 figures and 1 table