光驱动 Dirac 材料异质结中的能谷量热学
介观与纳米尺度物理
2020-07-22 v3
摘要
我们考虑一个横向异质结,其左右电极由单层石墨烯构成,中间区域由带隙倾斜的 Dirac 材料(硼烯或醌式石墨烯)构成,并用非共振圆偏振辐射照射。与无倾斜的 Dirac 材料相比,倾斜参数 使带隙变为间接带隙且幅度变小。辐射照射使中心区域的带隙依赖于能谷,这表现为能谷极化的电荷流和热流,从而引起能谷 Seebeck 效应。我们研究了该异质结的能谷极化电导、热导、热电势和热电优质参数随化学势 和可调带隙参数 的变化。对于非零 ,所有能谷极化量在特定化学势处达到峰值,然后渐近趋于零。带隙参数的增加增强了能谷热电势和能谷热电优质参数,而能谷电导和热导则随 表现出非单调行为。我们还将能谷极化量与其对应的电荷量(两个能谷的有效贡献)进行了比较。电荷热电势和电荷热电优质参数随 非单调变化,而电荷电导和热导随 呈下降趋势。此外,倾斜参数降低了载流子通过异质结的有效透射率,从而减弱了所有电荷和能谷极化量。由于可以通过改变光强度和 Semenoff 质量来调节色散中的带隙,因此该异质结在热电性质方面的可调性可能在实验中实现。
引用
@article{arxiv.2004.11011,
title = {Valley caloritronics in a photodriven hetero-junction of Dirac materials},
author = {Priyadarshini Kapri and Bashab Dey and Tarun Kanti Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.11011},
year = {2020}
}
备注
13 pages, 11 figures