双栅控hBN/双层石墨烯异质结构中的有能隙狄拉克材料与量子谷电流
介观与纳米尺度物理
2024-10-10 v1
摘要
在有能隙的狄拉克材料中，与每个谷相关的拓扑电流可以沿相反方向流动，从而产生长程电荷中性的谷电流。我们报告了在具有能隙的hBN/双层石墨烯异质结构中的谷电流，该能隙可通过双栅控结构中的垂直电场（位移场）进行调谐。我们观察到了显著的非局域电阻，这与谷霍尔效应的标度理论一致。在低温极限下，非局域电阻趋近于“量子极限”附近的饱和值，表明出现了量子谷电流。
引用
@article{arxiv.2410.05636,
title = {Gapped Dirac materials and quantum valley currents in dual-gated hBN/bilayer-graphene heterostructures},
author = {Takuya Iwasaki and Yoshifumi Morita and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.05636},
year = {2024}
}