局域带隙石墨烯中的谷霍尔效应与非局域电阻

我们报道了基于石墨烯的器件中体相谷极化电流的出现,由破缺子晶格对称性的空间变化区域驱动,并通过非局域电阻($R_\mathrm{NL}$)指纹揭示。通过使用量子输运形式体系的组合,得以访问体相性质以及多端器件响应,非均匀局域带隙的存在被证明引起谷依赖散射以及对谷霍尔电导的有限费米面贡献,这与 $R_\mathrm{NL}$ 的特征相关。这些特征对无序具有鲁棒性,并为石墨烯/hBN 超晶格中有争议的实验提供了合理的解释。我们的发现提出了在石墨烯中产生谷霍尔效应的另一种机制,以及通过材料和器件工程实现谷依赖电子光学的途径。