双层石墨烯纳米结构中的栅极可调谷电流、非局域电阻与谷积累
介观与纳米尺度物理
2017-11-16 v1
摘要
利用线性响应区中传输理论的 B"{u}ttiker-Landauer 表述，计算了具有反演对称性破缺的双层石墨烯纳米结构的谷电流与非局域电阻。结果表明，当费米能量位于靠近狄拉克点能量的能谱隙中时，双层石墨烯纳米结构中的反演对称性破缺导致非局域四端电阻显著增强，且谷电流比常规电流强数倍。研究了在零费米能量下随栅极电压变化的局域与非局域电阻之间的标度关系，发现满足幂律。在反演对称性破缺存在下，评估了四端双层石墨烯纳米结构中的谷速度场与谷积累。发现谷速度与非局域电阻随外加栅极电压的标度行为不同。发现原胞平均的谷积累呈现偶极空间分布，与由谷电流产生的积累一致。我们定义并计算了一个表征谷积累对纳米结构接触端所加电压响应的谷电容。
引用
@article{arxiv.1711.05342,
title = {Gate-tunable valley currents, non-local resistances and valley accumulation in bilayer graphene nanostructures},
author = {Mohammadhadi Azari and George Kirczenow},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.05342},
year = {2017}
}
备注
9 pages, 4 figures