栅可调锯齿形石墨烯纳米带中的谷塞贝克效应
介观与纳米尺度物理
2017-01-09 v1
摘要
我们首次提出在栅可调锯齿形石墨烯纳米带中，由于热梯度和谷电子学之间的相互作用而产生的谷塞贝克效应。纯谷电流进一步由热梯度和外偏压产生。在宽温度范围内，发现纯谷电流与温度梯度呈线性依赖关系，而对于固定热梯度，其随某一引线温度升高而增加。提出了一种由温度梯度驱动的谷场效应晶体管（FET），可通过栅电压开启和关闭纯谷电流。阈值栅电压和导通谷电流与温度梯度成正比。当系统在正栅电压下开启时，纯谷电流几乎与栅电压无关。若以安培作为谷电流单位，谷跨导高达30 {\mu}S。该谷FET可在未来谷电子学和谷热电子学中找到潜在应用。
引用
@article{arxiv.1701.01521,
title = {Valley Seebeck effect in gate tunable zigzag graphene nanoribbons},
author = {Zhizhou Yu and Fuming Xu and Jian Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.01521},
year = {2017}
}
备注
4 figures