关于“半导体晶体中的穿线位错密度:一种几何方法”(Phys. Lett. A 376 (2012) 2838-2841)的评论
量子物理
2021-04-22 v2
摘要
我们分析了一篇为解释穿线位错密度的半导体中观测到的浅能级起源而引入的几何模型处理中所出现的薛定谔方程的解。我们表明(与作者声称的相反)该模型对于任意所选的模型参数集合都不支持束缚态。假设在 平面中的虚构运动,则存在束缚态的条件是 ,而不仅仅如作者所认为的 。作者提出的截断条件对给定值的所选模型参数仅给出一个特定的能量,并遗漏了所有其他能量(条件可解问题)。
引用
@article{arxiv.2104.08102,
title = {Comment on: "Threading dislocation densities in semiconductor crystals: A geometric approach". Phys. Lett. A 376 (2012) 2838-2841},
author = {Francisco M. Fernández},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.08102},
year = {2021}
}