半导体简化瞬态能量输运模型的存在性分析
偏微分方程分析
2012-06-26 v1
摘要
本文分析了受混合 Dirichlet-Neumann 边界条件约束的半导体简化瞬态能量输运系统。该模型是在特定的动量弛豫趋于零的极限下，从非等温流体动力学方程形式推导而来。它由涉及温度梯度的电子密度漂移 - 扩散型方程、电子温度的非线性热方程以及电势的 Poisson 方程组成。证明了有界弱解的全局时间存在性。证明基于 Stampacchia 截断方法并对温度方程进行了谨慎使用。在变量梯度满足一定正则性假设的条件下，证明了解的唯一性。最后，通过一维空间弹道二极管的数值模拟说明了解的行为。
引用
@article{arxiv.1206.5722,
title = {Existence analysis for a simplified transient energy-transport model for semiconductors},
author = {Ansgar Jüngel and René Pinnau and Elisa Röhrig},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.5722},
year = {2012}
}