半导体中传输过程的数值建模
凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
研究了载流子分布非均匀时半导体中电流的特殊性。求解由连续方程和泊松方程组成的半经典漂移扩散方程组,使用三阶rusanov有限差分格式进行数值求解。数值研究了不同类型的边界条件。证明在所讨论的问题上,采用诺伊曼类型边界条件可实现rusanov格式的稳定性。这些条件对应于半导体表面无扩散。找到了一组特殊参数,在此条件下,出现一种非常有趣且不寻常的非均匀半导体中的负电流瞬态效应。讨论了非均匀半导体中不同类型的负电流。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302364,
title = {Numerical Modelling of Transport Processes in Semiconductors},
author = {E. P. Yukalova and V. I. Yukalov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302364},
year = {2007}
}
备注
7 pages, Latex, no figures