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半导体结构中球性与扩散载流子传输的统一描述

材料科学 2009-11-10 v2

摘要

在半经典模型中发展了半导体平面结构中球性与扩散载流子传输的统一理论。该方法通过引入热球性电流:在由带边势轮廓产生的电场中作球性运动的载流子,在与杂质原子及平衡载流子背景耦合后,以随机分布的等化平衡点进行热化。热球性电流与背景电流之和守恒,被认定为物理电流。对于非退化系统,电流-电压特性;对于退化系统,零偏置电导均以一种简化电阻表示。对于任意平均自由路长和任意带边势轮廓形状,该量由求解积分方程得到,同时该方程还提供准费米能级和热球性电流。为说明该形式,显式地考虑了若干简单案例。本工作与以往关于球性与扩散传输统一描述的尝试进行了比较。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0306122,
  title  = {Unified description of ballistic and diffusive carrier transport in semiconductor structures},
  author = {R. Lipperheide and U. Wille},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0306122},
  year   = {2009}
}

备注

23 pages, 10 figures, REVTEX4