Halogenated 有机分子在 Si(111) $\surd$3$\times$$\surd$3-Ag 表面的自组装
材料科学
2024-10-07 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了卤素基有机分子在已掩蔽硅表面上的自组装。2,4,6-三(4-碘苯基)-1,3,5-三azine (TIPT) 在 Si(111)-33-Ag 表面的室温吸附被描述。通过室温扫描隧道显微镜（STM）和密度泛函理论（DFT）计算进行该吸附实验。结果显示，基片对自组装整体结构具有显著影响。随着剂量增加，TIPT 单体形成由两个单体组成的矩形单元，尺寸为 nm nm。该单元由沿 3-Ag 基片高对称方向偏斜约 的分子锯齿行构成。沿锯齿行的 nm 尺寸与在 HOPG 上观察到的 TIPT 网络非常相似，但 nm 尺寸显著延伸，与 3-Ag 基片相容。覆盖层与基片之间的 epitaxial 关系以及相邻行间距的相容性表明存在显著的分子-基片相互作用。事实上，DFT 计算显示，对于自由悬浮的 TIPT 六聚体，增加行间距的能量成本很小。实验还表明，TIPT 域的形成对底层 -Ag 重构的质量极其敏感。-Ag 重构中的点缺陷最终限制了所观察到域的范围。
引用
@article{arxiv.2410.03113,
title = {Self-Assembly of a halogenated organic molecule on the Si(111) $\surd$3$\times$$\surd$3-Ag surface},
author = {R Liu and D. Marchese and R. C. Mawhinney and M. C. Gallagher},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.03113},
year = {2024}
}