半约束极子于半导体纳米晶中有限尺寸介电界面效应
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
研究了有限势垒和介电错位介于点和基质之间对半导体量子点极子性质的综合影响。为避免最简单且广泛采用的介电界面阶跃模型中自极化能出现的非物理发散，提出了一种现实的（有限尺寸）光滑介电界面轮廓。我们发现极子结合能可高于完全由无限势垒约束的相应值，或在广泛的点尺寸范围内基本为零，这取决于介电界面厚度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9909022,
title = {Partially confined excitons in semiconductor nanocrystals with a finite size dielectric interface},
author = {Pablo G. Bolcatto and Cesar R. Proetto},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9909022},
year = {2007}
}
备注
11 pages, 6 figures, submitted to Phys. Rev. B jan/99