用于瞬态光电压分析的时域阻抗方法
材料科学
2022-10-17 v1
摘要
在这项工作中，我们用等效 RC 电路模型近似 nm 尺寸 ZnO 薄膜中的表面光电压（SPV）瞬态。在 275 nm 激发光脉冲关闭后（脉冲宽度在 1.2 至 12 mcs 范围内变化），SPV 在约 90 mcs 时间内随时间上升。该观测的关键在于薄膜中存在大量缺陷，它们在等效电路中形成陷阱电容。薄膜表面附近非平衡电子与空穴的光生由电流源对电容充电来描述，而其空间分离速率由电阻决定。该电阻反映了载流子运动中的阻碍，而另一电容决定了电荷分离距离。电子-空穴复合由引入等效电路中的第二个电阻来考量。所得的建模 SPV 瞬态能够相当好地复现观测到的实验曲线。
引用
@article{arxiv.2210.07928,
title = {Time-domain impedance method for transient photovoltage analysis},
author = {A. Nadtochiy and A. Podolian and O. Korotchenkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.07928},
year = {2022}
}
备注
4 pages, 5 figures