衬底对 CdSe 量子点光电探测器带宽的影响
介观与纳米尺度物理
2021-09-07 v1 材料科学
摘要
我们研究了在三种不同衬底上、由锌 β-四氨基酞菁（Zn4APc）敏化的 CdSe 量子点（QD）薄膜的时间分辨光电流响应，即带有 230 nm SiO2 介质的硅、玻璃以及聚酰亚胺。虽然 Si/SiO2（230 nm）因埋入硅的干扰光电流响应而不适用于任何瞬态光电流表征，但我们发现聚酰亚胺衬底引发了更大的光学带宽，相同量子点薄膜在玻璃上为 67 kHz，而在聚酰亚胺上为 85 kHz。在评估瞬态光电流后，我们发现 CdSe 量子点薄膜的光响应可描述为载流子复合与 2.7 ns 内的快速俘获，随后是较慢的多重俘获事件的组合。后者在聚酰亚胺上较不明显，从而导致了更高的带宽。我们表明所有器件均受 RC 时间限制，且改善光电阻是进一步提高带宽的关键。
引用
@article{arxiv.2109.02049,
title = {Substrate Effects on the Bandwidth of CdSe Quantum Dot Photodetectors},
author = {Christine Schedel and Fabian Strauß and Krishan Kumar and Andre Maier and Kai M. Wurst and Patrick Michel and Marcus Scheele},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.02049},
year = {2021}
}
备注
33 pages, 17 figures