Nb 衬底上超薄 Cs2Te 层的光阴极量子效率
加速器物理
2018-01-17 v1
摘要
报道了由涂覆 Cs2Te 薄膜的块体 Nb 衬底组成的光阴极的量子效率 (QE)。使用为 Mo 衬底开发的 Cs2Te 沉积标准配方（220 {\AA} Te 厚度），在 248 nm 光波长下，Nb 衬底的 QE 达到约 11% - 13%，这与在 Mo 上发现的结果一致。对 Mo 和 Nb 衬底的 Te 厚度进行系统性减小，揭示出即使 Te 层薄至 15 {\AA}，仍具有令人惊讶的高剩余 QE（约 6%）。基于 Spicer 三步模型并结合反射率 的 Fresnel 方程解的现象学模型，对 QE 的厚度依赖性进行了合理拟合，并表明厚度小于 15 {\AA} 的层仍可能具有相对较高的 QE。初步研究表明其工作寿命也有所增加。这种超薄半导体 Cs2Te 层有望在约 1 GHz 的射频频率下产生最小的欧姆损耗。因此，该结果为开发具有相对较高 QE 和最小射频阻抗的 Nb（或 Nb3Sn）超导光阴极打开了大门，可用于超导射频 (SRF) 光注入器。
引用
@article{arxiv.1709.04120,
title = {Photocathode Quantum Efficiency of Ultra-Thin Cs2Te Layers On Nb Substrates},
author = {Zikri Yusof and Adam Denchfield and Mark Warren and Javier Cardenas and Noah Samuelson and Linda Spentzouris and John Zasadzinski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.04120},
year = {2018}
}
备注
12 pages, 3 figures