PEA半导体光电阴极量子效率的数值模拟
加速器物理
2015-05-30 v1
摘要
目前已经提出了几种模型来解释光发射过程。经过数十年的研究，半导体光电阴极的精确光发射理论仍未很好地建立。本文基于三步光发射模型，构建了一个量子效率（QE）积分方程来描述正电子亲和势（PEA）半导体光电阴极的光发射。考虑了禁带宽度、电子亲和势、光子能量、入射角、偏振度、折射率、消光系数、初始/终态电子能量、弛豫时间以及外电场对PEA半导体光电阴极QE的影响。此外，还编写了计算机程序来理论上计算K2CsSb光电阴极在532nm波长下的QE，结果大体上与实验值一致。本文讨论了导致实验测量与理论QE之间差异的原因。
关键词
引用
@article{arxiv.1108.6138,
title = {The QE numerical simulation of PEA semiconductor photocathode},
author = {Xudong Li and Qiang Gu and Meng Zhang and Minghua Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.6138},
year = {2015}
}
备注
12 pages,3 figures,2 tables,submitted to Chinese Physics C