六方氮化硼中B中心的量子效率
光学
2024-08-13 v1 量子物理
摘要
六方氮化硼（hBN）中的B中心因精确的发射器定位和高可重复性的发射波长而成为量子光子学应用的重要研究热点。本文利用hBN的层状特性，直接测量单B中心的量子效率（QE）。缺陷通过电子束辐照在35 nm厚的hBN薄片中被工程化制造，发射器的局部介电环境通过将250 nm厚的hBN薄片转移到含有发射器的薄片上方而改变。通过分析测量寿命的变化，确定了薄hBN片中B中心的量子效率，以及转移后的量子效率。结果表明，位于薄片中的B中心可表现出高于40%的量子效率。在厚hBN片中嵌入的发射器在合理的Purcell增强下可实现接近100%的量子效率，突显了其在量子光子学应用中的前景。
引用
@article{arxiv.2408.06001,
title = {Quantum Efficiency the B-centre in hexagonal boron nitride},
author = {Karin Yamamura and Nathan Coste and Helen Zhi Jie Zeng and Milos Toth and Mehran Kianinia and Igor Aharonovich},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.06001},
year = {2024}
}