Flux 生长 hBN 中的量子发射器
材料科学
2025-02-24 v1 应用物理
光学
摘要
六方形硼氮化物（hBN）是量子技术领域的新兴材料，拥有亮丽且稳定的单光子发射器（SPE）。B 中心是其中一个有前景的 SPE，由于其近乎确定的制造方法和规律的发射波长。然而，B 中心在高质量晶体中的嵌入仍然具有挑战，通常依赖于额外的生长后方法来提高制造效率。本文我们演示了在生长过程中对 hBN 进行受控碳掺杂，使用金属通量方法提高了 B 中心制造效率。重要的是，当生长过程中碳添加量超过 2.5 wt.% C 时，能够在生长后 hBN 中生成单个 B 中心，其 。共振激发测量显示，其线宽为 3.5 GHz，仅出现适度的谱扩散，表明生长后 hBN 作为 B 中心的宿主具有高质量。
引用
@article{arxiv.2502.15171,
title = {Quantum Emitters in Flux Grown hBN},
author = {Evan Williams and Angus Gale and Jake Horder and Dominic Scognamiglio and Milos Toth and Igor Aharonovich},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.15171},
year = {2025}
}