使用原子级薄衬底的自支撑双碱光阴极
材料科学
2019-02-13 v2
摘要
我们报道了在石墨烯薄膜上成功沉积高量子效率（QE）双碱锑化物K2CsSb光阴极。该结果为封装具有原子级薄保护层的、与技术相关的光阴极这一终极目标铺平了道路，以保护层增强加速器技术中光阴极的寿命，同时将QE损失降至最低。在~3.1 eV（405 nm）处17%的QE是迄今报道的石墨烯衬底上的最高值，并且可与不锈钢和镍参考衬底上获得的值相媲美。石墨烯上光阴极的光谱响应呈现出K2CsSb的特征，包括在~2.5 eV处的特征吸收。基于X射线荧光（XRF）和X射线衍射（XRD）的材料表征表明，沉积在石墨烯上的这些光阴极的成分和晶体质量与沉积在参考衬底上的相当。自由悬浮石墨烯和石墨烯包覆金属衬底上K2CsSb的光学计算与QE测量之间的定量一致进一步证实了光阴极与石墨烯之间的高质量界面。最后，由拉曼光谱表征的QE与石墨烯质量之间的相关性表明，石墨烯薄膜中较低的原子级缺陷密度会导致沉积的K2CsSb光阴极具有更高的QE。
引用
@article{arxiv.1802.09735,
title = {Free-standing bialkali photocathodes using atomically thin substrates},
author = {Hisato Yamaguchi and Fangze Liu and Jeffrey DeFazio and Mengjia Gaowei and Claudia W. Narvaez Villarrubia and Junqi Xie and John Sinsheimer and Derek Strom and Vitaly Pavlenko and Kevin L. Jensen and John Smedley and Aditya D. Mohite and Nathan A. Moody},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.09735},
year = {2019}
}
备注
accepted to Advanced Materials Interfaces