基于表面纳米柱阵列结构的 GaAs 光阴极中米氏共振对量子效率的增强
光学
2019-12-03 v1 应用物理
摘要
首次展示了一种基于 GaAs 纳米柱阵列（NPA）米氏型共振器的新型负电子亲和势（NEA）光阴极。在可见光波长下，GaAs NPA 中的米氏共振将光反射率降至低于 6%，而典型值大于 35%。NPA 共振器的其他优势包括因光集中增强带来的光学态密度提升以及电子发射面积增大。这些特性使得共振波长处的光发射性能得到改善，最大量子效率达到无 NPA 结构的 GaAs 晶圆光阴极的 3.5 倍。这种光学暗（可见光波长下反射率低于百分之一）但电学高亮度（增强电子发射）的光阴极为大规模电子加速器、高分辨率夜视成像和低能电子显微镜等实际应用提供了新机遇。
引用
@article{arxiv.1912.00348,
title = {Quantum Efficiency Enhancement by Mie Resonance from GaAs Photocathodes Structured with Surface Nanopillar Arrays},
author = {Xincun Peng and Zhidong Wang and Yun Liu and Dennis M. Manos and Matt Poelker and Marcy Stutzman and Bin Tang and Shukui Zhang and Jijun Zou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.00348},
year = {2019}
}