薄GaAs层光电子发射中的光电压效应
材料科学
2009-11-07 v1 加速器物理
摘要
使用一组薄GaAs掺杂型负电子亲和(NEA)光致电子阴极，用于测量在高强度激发下光致电子的收集效率。活性层厚度为100 nm，掺杂浓度范围为5×10^18 cm^-3至5×10^19 cm^-3，共制备了四个样品。结果表明，表面逃逸概率是NEA能量的线性函数。发现表面光电压效应在掺杂浓度达到5×10^19 cm^-3时消失。实验结果与基于表面光电压动力学的电荷限制模型计算结果良好一致，该模型假设带弯曲区域内电子能量松弛速率为常数。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0103500,
title = {Photovoltage Effects in Photoemission from Thin GaAs Layers},
author = {G. A. Mulhollan and A. V. Subashiev and J. E. Clendenin and E. L. Garwin and R. E. Kirby and T. Maruyama and R. Prepost},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0103500},
year = {2009}
}
备注
LaTeX RevTeX 11 pages, 6 figures