半导体光子纳米线的表面效应及内嵌单量子点的光谱稳定性
介观与纳米尺度物理
2011-12-21 v1 量子物理
摘要
我们证实了表面效应用于高效单光子源的 GaAs 光子纳米线中 InAs 量子点的影响。我们观察到发射能量存在连续的时间漂移，这构成了单光子水平共振量子光学实验的障碍。我们将该漂移归因于氧分子附着在纳米线上，这改变了表面电荷，从而改变了量子点所感知的电场。研究了温度和激发激光功率对该现象的影响。最重要的是，我们证明了对纳米线表面进行适当处理可以抑制该漂移。
引用
@article{arxiv.1112.3733,
title = {Surface effects in a semiconductor photonic nanowire and spectral stability of an embedded single quantum dot},
author = {Inah Yeo and Nitin S. Malik and Mathieu Munsch and Emmanuel Dupuy and Joël Bleuse and Yann-Michel Niquet and Jean-Michel Gérard and Julien Claudon and Édouard Wagner and Signe Seidelin and Alexia Auffèves and Jean-Philippe Poizat and Gilles Nogues},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.3733},
year = {2011}
}