表面钝化与氧化物封装改善近表面单个 GaAs 量子点的光学性质
应用物理
2022-02-10 v1 量子物理
摘要
通过滴状刻蚀外延生长的 GaAs 量子点近来作为单光子及纠缠光子对光源展现出优异特性。某些纳米光子结构的集成要求表面到量子点距离小于 100 nm。这需要一种表面钝化方案，可能有助于降低表面态密度。为解决此问题，对表面到量子点距离为 40 nm 的情况采用硫钝化加介电覆盖层作为封装，使得发射线宽部分恢复至体材料值，并提高了光致发光强度。
引用
@article{arxiv.2202.02655,
title = {Surface passivation and oxide encapsulation to improve optical properties of a single GaAs quantum dot close to the surface},
author = {Santanu Manna and Huiying Huang and Saimon Filipe Covre da Silva and Christian Schimpf and Michele B. Rota and Barbara Lehner and Marcus Reindl and Rinaldo Trotta and Armando Rastelli},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.02655},
year = {2022}
}
备注
24 pages, 8 figures