GaN/InGaN纳米线异质结构中类量子点发射中心受声学调控的光学发射动力学
介观与纳米尺度物理
2019-02-22 v1
摘要
我们报道了关于表面声波对 GaN/InGaN 纳米线量子点光学发射动力学所诱导效应的实验研究。我们采用频闪光学激发配合时间积分或时间分辨光致发光探测。在无声波时，发射光谱显示出源于所探测纳米线量子点内受限中性激子与双激子复合的特征。当纳米线受传播声波扰动时，嵌入式量子点被周期性应变，其激子跃迁受声-机械耦合调制。依据所涉及光学跃迁的复合寿命，我们能在由声周期定义的时间尺度上分辨声驱动辐射过程。在高声振幅下，我们还观察到透射声波波形的畸变，这反映于我们传感器量子点的时间依赖光谱响应中。此外，激子与双激子发射在时间衰减期间观察到的相关强度振荡，暗示了声压电场对量子点电荷布居的效应。本结果对 III-族氮化物半导体异质结构中光子发射的动态光谱与时间控制具有意义。
引用
@article{arxiv.1902.07918,
title = {Acoustically regulated optical emission dynamics from quantum dot-like emission centers in GaN/InGaN nanowire heterostructures},
author = {S. Lazic and E. Chernysheva and A. Hernández-Mínguez and P. V. Santos and H. P. van der Meulen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.07918},
year = {2019}
}
备注
14 pages, 5 figures