单纳米线量子点的射频占据态控制
介观与纳米尺度物理
2014-09-15 v3 光学
量子物理
摘要
单根基于纳米线的异质结量子点的激子占据态通过表面声波进行动态编程。该量子点由嵌入 GaAs-AlGaAs 核壳纳米线 AlGaAs 壳层中的 GaAs 量子阱界面或厚度涨落形成。当我们调节声学周期内光生载流子的时刻时，观察到中性激子和负电激子的强度出现显著振荡。在高声功率水平下，这些振荡变为反相关，从而能够直接通过声波编程量子点的电荷组态、发射强度和发射波长。数值模拟证实，观测到的调制源于量子点位置处电子及电子 - 空穴对浓度的声学控制调制。
引用
@article{arxiv.1404.3103,
title = {Radio frequency occupancy state control of a single nanowire quantum dot},
author = {Matthias Weiß and Florian J. R. Schülein and Jörg B. Kinzel and Michael Heigl and Daniel Rudolph and Max Bichler and Gerhard Abstreiter and Jonathan J. Finley and Achim Wixforth and Gregor Koblmüller and Hubert J. Krenner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.3103},
year = {2014}
}
备注
Revised manuscript, 12 pages, submitted to J. Phys. D as a contribution in a Special Issue on Nanowires