纳米级表面粗糙度对GaAs光电阴极横向能量扩散的影响
加速器物理
2015-05-27 v1 材料科学
摘要
高量子产率、低横向能量扩散和快速响应时间使得激活至负电子亲和势的GaAs成为高亮度光注入器中光电阴极的理想候选材料。即使经过数十年的研究，GaAs电子发射的确切机制仍未被完全理解。我们表明，纳米级表面粗糙度可以将GaAs的横向电子扩散影响近一个数量级，并解释了迄今为止获得的看似矛盾的实验结果。该模型还可以解释所测量的横向能量扩散对入射光波长的依赖性。
引用
@article{arxiv.1102.4764,
title = {Effect of nano-scale surface roughness on transverse energy spread from GaAs photocathodes},
author = {Siddharth Karkare and Ivan Bazarov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.4764},
year = {2015}
}
备注
3pages, 3figures