界面效应对 CdTe/CdS 量子点光学性质的影响
介观与纳米尺度物理
2015-08-25 v1
摘要
结合连续波和时间分辨光谱，我们研究了界面条件对嵌入三维纳米结构硅（NSi）矩阵中的胶体CdTe/CdS量子点（QDs）的辐射寿命和光致发光强度的影响。NSi矩阵在不同条件下热氧化以改变界面氧化物厚度。与固定在完全氧化的纳米结构二氧化硅（NSiO2）框架（~78 ns）中的QD相比，嵌入具有~0.5 nm界面氧化物的NSi矩阵中的QD表现出降低的光致发光强度和几乎五倍短的辐射寿命（~16 ns）。亚纳米氧化NSi矩阵的光吸收部分降低了QD发射强度，而非辐射载流子复合以及受氧化物和NSi中缺陷位点影响的声子辅助跃迁被认为是限制异质结构中QD激子寿命的主要因素。
引用
@article{arxiv.1504.06269,
title = {Interfacial Effects on the Optical Properties of CdTe/CdS Quantum Dots},
author = {Girija Gaur and Dmitry S. Koktysh and Daniel M. Fleetwood and Robert A. Weller and Robert A. Reed and Sharon M. Weiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.06269},
year = {2015}
}