高增益低工作电压 SnSe2 光电导体中的衬底效应
介观与纳米尺度物理
2018-02-15 v1 材料科学
摘要
高增益光电导器件在低强度光探测中有广泛应用。超薄层状材料近来在这方面备受研究者关注。然而，一般而言，这些器件需要较大的工作电压才能获得大响应度。此外，其特性常受衬底诱导陷阱效应的干扰。本文报道了基于多层 SnSe2 的光电导器件，采用两种不同结构：（1）SiO2 衬底支撑的交指电极（IDE），以及（2）悬空沟道。该 IDE 器件在 1 mV 和 100 mV 工作电压下分别展现出约 10^3 A/W 和 8.66x10^4 A/W 的响应度——相对于现有平面二维结构文献具有优越的低电压性能。然而，悬空器件的响应度降低了两个数量级以上，而瞬态响应改善——这揭示了沟道-衬底界面在增益机制中的关键作用。这些结果一方面为消耗超低功率的高灵敏度光电导应用带来前景，另一方面展示了一种可推广至其他层状材料基光电导器件以提取本征行为的通用方法。
引用
@article{arxiv.1711.08560,
title = {Substrate effects in high gain, low operating voltage SnSe2 photoconductor},
author = {Krishna Murali and Sangeeth Kallatt and Kausik Majumdar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.08560},
year = {2018}
}
备注
16 pages, 6 figures, Accepted in Nanotechnology (IOP)