使用石墨烯电极的高性能 InSe 基光电探测器的栅极调控
光学
2015-07-02 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
为了提高具有高光电响应度的 InSe 基光电探测器的响应速度，使用石墨烯作为透明电极以修改电极与 InSe 之间的功函数差异。正如预期，InSe/石墨烯光电探测器的响应速度降至 120 {\mu}s，比我们的 InSe/金属器件快约 40 倍。并且它还可以通过背栅电压从 310 {\mu}s 调至 100 {\mu}s。在高响应速度下，光电响应度可同时达到高达 60 AW-1。同时，InSe/石墨烯光电探测器拥有 400-1000 nm 的宽光谱范围。2D 晶体/石墨烯电接触的设计可能对高性能光电器件十分重要。
引用
@article{arxiv.1501.04051,
title = {Gate Tuning of High-Performance InSe-Based Photodetectors Using Graphene Electrodes},
author = {Wengang Luo and Yufei Cao and Pingan Hu and Kaiming Cai and Qi Feng and Faguang Yan and Tengfei Yan and Xinhui Zhang and Kaiyou Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.04051},
year = {2015}
}
备注
27 pages, 10 figures in Advanced optical materials 2015