缺陷诱导的石墨烯薄膜氧吸附
材料科学
2018-05-23 v1
摘要
尽管石墨烯上的缺陷会劣化电子传输及其作为保护层的性能，但它们也有助于剪裁局域性质或激活特定吸附物的新位点。此处，利用低能 Ar 轰击在 Ru(0001) 上的石墨烯薄膜中形成碳空位缺陷，随后将材料在室温下与氧（O）反应。氦低能离子散射显示，氧不附着于完整石墨烯层。当存在孤立的单碳空位缺陷时，氧在缺陷位点上以分子形式吸附，并在 600 K 后退火后插层于石墨烯覆盖层下方。当缺陷大到足以构成裸露基底的开阔区域时，氧在 Ru 上解离化学吸附。本工作表明，吸附取决于表面空位的尺寸，并且在使用石墨烯作为保护层时拥有无缺陷石墨烯十分重要。
引用
@article{arxiv.1801.08636,
title = {Defect-induced oxygen adsorption on graphene films},
author = {Tianbai Li and Jory A. Yarmoff},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.08636},
year = {2018}
}
备注
24 pages, 5 figures