真空退火过程中石墨烯/Ge(110)界面变化的追踪
材料科学
2022-07-21 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
通过拉曼光谱获得的石墨烯质量指标已与石墨烯/锗界面随真空热退火发生的结构变化相关联。具体而言，发现石墨烯在 650 {\deg}C 下明显产生缺陷。结合扫描隧道显微镜、X 射线光电子能谱和近边 X 射线吸收精细结构谱，我们得出结论：这些缺陷源于 trapped 在石墨烯/锗界面的 H_{2} 气体释放。H_{2} 气体是在 Ge(110) 表面由生长态氢终止向衬底表面重构出现转变后产生的。有趣的是，在退火至 800 {\deg}C 时观察到石墨烯发生完整的自愈合过程。所揭示的石墨烯/锗界面微观变化与石墨烯缺陷密度之间的微妙关联，对于推进石墨烯生长、可控 2D-3D 异质材料界面连接及半导体集成制造技术具有价值。
引用
@article{arxiv.2204.02037,
title = {Tracking interfacial changes of graphene/Ge(110) during in-vacuum annealing},
author = {L. Camilli and M. Galbiati and L. Di Gaspare and M. De Seta and I. Píš and F. Bondino and A. Caporale and V. -P. Veigang-Radulescu and S. Hofmann and A. Sodo and R. Gunnella and L. Persichetti},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.02037},
year = {2022}
}