Ge(001) 基底上石墨烯在表面熔化起始时的突变
材料科学
2019-01-31 v1
摘要
通过结合扫描探针显微镜与 Raman 和 X 射线光电子能谱，我们研究了 CVD 生长的 graphene/Ge(001) 在接近 Ge 熔点时随沉积温度的演化，突出了在 930 度时石墨烯的质量、形貌、电子性质和生长模式的突变。我们将这种不连续性归因于 Ge 基底的不完全表面熔化，并展示了不完全熔化如何解释 graphene/Ge(001) 多种长期备受争议的独特特征，包括石墨烯过度生长引起的 Ge 基底的特征纳米结构化。我们发现，在接近 930 度时形成的准液态 Ge 层对于获得高质量石墨烯至关重要，而温度下降 10 度就已经会导致起皱且有缺陷的石墨烯薄膜。
引用
@article{arxiv.1901.06311,
title = {Abrupt changes in the graphene on Ge(001) system at the onset of surface melting},
author = {L. Persichetti and L. Di Gaspare and F. Fabbri and A. M. Scaparro and A. Notargiacomo and A. Sgarlata and M. Fanfoni and V. Miseikis and C. Coletti and M. De Seta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.06311},
year = {2019}
}
备注
in press