Ge(001) 衬底上 CVD 石墨烯合成的早期阶段
材料科学
2018-05-04 v1
摘要
本工作中我们阐明了 Ge(001) 表面化学气相沉积石墨烯的早期阶段。通过联合使用微拉曼与 X 射线光电子能谱，以及扫描隧道显微镜与谱学，我们得以确定石墨烯成核前的一种碳前驱相，其与小石墨烯畴共存。该前驱相由尺寸、形状与局部有序度各异且未完全 sp2 杂化的 C 团聚体构成。在某些原子尺度区域，这些团聚体呈现原子的线性排列以及石墨烯六方结构的初步特征。该碳前驱相通过一种与 Ge 表面形貌重排相关的有序化过程演化为石墨烯畴。这种表面结构重组代表了较长沉积时间下 Ge(001) 表面呈现的丘-谷刻面化的胚胎阶段，彼时石墨烯畴合并形成单层石墨烯膜。
引用
@article{arxiv.1805.01192,
title = {Early stage of CVD graphene synthesis on Ge(001) substrate},
author = {L. Di Gaspare and A. M. Scaparro and M. Fanfoni and L. Fazi and A. Sgarlata and A. Notargiacomo and V. Miseikis and C. Coletti and M. De Seta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.01192},
year = {2018}
}