面向光电子学的氧化石墨烯热退火价带电子结构演化
材料科学
2016-05-04 v1
摘要
我们报道了氧化石墨烯（graphene oxide, GO）在其热还原过程中的价带电子结构演化。氧官能化程度由退火温度控制，并利用实时紫外光电子能谱监测了电子结构演化。我们观察到在约 600 °C 热退火时费米能级附近态密度急剧增加。结果表明，尽管热还原前 GO 存在明显带隙，但在该温度附近退火后带隙闭合。这种带隙闭合趋势与电学、化学和结构特性相关联，从而确定了一组适用于光电子学的最优 GO 材料特性。结果显示，约 500 °C 的退火带来了所需特性，这体现为与合成态相比，单个 GO 薄片的均匀且增强一个数量级的 photocurrent 映射（光电流图）。
引用
@article{arxiv.1605.01048,
title = {Valence band electronic structure evolution of graphene oxide upon thermal annealing for optoelectronics},
author = {Hisato Yamaguchi and Shuichi Ogawa and Daiki Watanabe and Hideaki Hozumi and Yongqian Gao and Goki Eda and Cecilia Mattevi and Takeshi Fujita and Akitaka Yoshigoe and Shinji Ishizuka and Lyudmyla Adamska and Takatoshi Yamada and Andrew M. Dattelbaum and Gautam Gupta and Stephen K. Doorn and Kirill A. Velizhanin and Yuden Teraoka and Mingwei Chen and Han Htoon and Manish Chhowalla and Aditya D. Mohite and Yuji Takakuwa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.01048},
year = {2016}
}
备注
9 pages, 4 figures in physica status solidi (a) 2016