范德瓦耳斯材料与Ag(111)界面处锗烯的直接生长
材料科学
2020-11-18 v1
摘要
通过偏析锗原子，在石墨烯/Ag(111)与六方氮化硼(h-BN)/Ag(111)界面处生长出二维蜂窝状锗晶体——锗烯。在常压下的N2或H2/Ar中进行简单退火即可形成锗烯，表明超高真空条件并非必要。所生长的锗烯在空气中稳定，并在被范德瓦耳斯(vdW)材料覆盖的整个区域上均匀。一个重要发现是，本锗烯生长方法必须使用vdW材料作为盖层，因为使用Al2O3盖层未导致锗烯形成。本研究还通过包括第一性原理密度泛函理论计算在内的多种分析证明，空气中的拉曼光谱是表征界面处锗烯的有力工具。本研究所展示的Ag(111)上h-BN封盖锗烯的直接生长，被视为制造未来锗烯基电子器件的一种有前景的技术。
引用
@article{arxiv.2011.08390,
title = {Direct growth of germanene at interfaces between van der Waals materials and Ag(111)},
author = {Seiya Suzuki and Takuya Iwasaki and K. Kanishka H. De Silva and Shigeru Suehara and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Satoshi Moriyama and Masamichi Yoshimura and Takashi Aizawa and Tomonobu Nakayama},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.08390},
year = {2020}
}
备注
34 Pages, 11 Figures