Si(111) 上石墨碳的直接生长
材料科学
2015-06-12 v1
摘要
我们研究了在 Si(111) 77 表面上直接生长石墨薄膜的适宜条件。通过俄歇电子能谱 (AES)、X 射线光电子能谱 (XPS)、低能电子衍射 (LEED)、拉曼光谱 (Raman spectroscopy) 和扫描隧道显微镜 (STM) 研究了样品的结构和电子性质。特别是，我们展示了直接在 Si(111) 上生长的碳蜂窝晶格的 STM 图像。我们的结果表明，形成的石墨烯薄膜的质量不仅取决于衬底温度，还取决于界面处的碳缓冲层。该方法对于基于石墨烯的电子学及其与硅技术的集成可能非常有前景。
引用
@article{arxiv.1212.5697,
title = {Direct growth of graphitic carbon on Si(111)},
author = {Pham Thanh Trung and Frederic Joucken and Jessica Campos-Delgado and Jean-Pierre Raskin and Benoit Hackens and Robert Sporken},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.5697},
year = {2015}
}
备注
Accepted in APL