半导体 Ge(110) 上石墨烯的生长与电子结构
材料科学
2017-07-04 v1
摘要
在半导体或绝缘衬底上直接生长石墨烯可能有助于克服金属基合成的主要缺点，如金属原子对石墨烯的污染、转移问题等。本文展示了利用原子碳源在 n 型掺杂半导体 Ge(110) 上生长石墨烯，并研究了所得界面的结构和电子性质。我们发现石墨烯与下方的 Ge(110) 衬底相互作用较弱，这使石墨烯的电子结构几乎保持完整，从而推动该界面用于未来的石墨烯-半导体应用。本文还讨论了 Ge 中掺杂剂对石墨烯电子性质的影响。
引用
@article{arxiv.1705.07699,
title = {Growth and electronic structure of graphene on semiconducting Ge(110)},
author = {Julia Tesch and Elena Voloshina and Mikhail Fonin and Yuriy Dedkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.07699},
year = {2017}
}
备注
submitted on 06.04.2017