单层砷烯的实验证据：一种奇异的二维半导体材料
材料科学
2020-03-24 v1
摘要
石墨烯的V族元素类似物近来因其半导体能带结构而备受关注，这使其有望用于基于二维材料的下一代电子和光电子器件。理论预测其具有高电子迁移率、大带隙、通过应变调控带隙、拓扑相形成、室温量子自旋霍尔效应以及超导性等特性。在此，我们报道了在Ag(111)上成功形成类自由站立的单层砷烯。这一结论源于我们将实验原子与电子结构数据与理论计算结果比较得出。砷烯在Ag(111)上形成 buckled 蜂窝层，晶格常数为3.6 {\AA}，根据费米能级钉扎位置推断其具有约1.4 eV的间接带隙。
引用
@article{arxiv.1812.05978,
title = {Experimental evidence of monolayer arsenene: An exotic two-dimensional semiconducting material},
author = {J. Shah and W. Wang and H. M. Sohail and R. I. G. Uhrberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.05978},
year = {2020}
}