门控半导体人工石墨烯中平带的观测
介观与纳米尺度物理
2021-03-29 v1
摘要
布里渊区 M 点附近的平带是人工石墨烯(AG)中蜂窝对称性的关键特征,其中电子可能凝聚成新颖的关联相。在此我们报道了在 GaAs 量子阱晶体管中 AG 的范霍夫奇点双重态的观测,其给出了半导体 AG 中平带的证据。由背栅电压调谐的光致发光光谱中出现的双峰探测了 AG 平带的奇点双重态,并证明了它们可达费米能级。当费米能级穿过该双重态时,光谱显示出对电子密度的显著稳定性,表明电子-电子相互作用与蜂窝对称性之间的相互影响。我们的结果提供了一个探索引人入胜的平带物理的新灵活平台。
引用
@article{arxiv.2103.14197,
title = {Observation of flat bands in gated semiconductor artificial graphene},
author = {Lingjie Du and Ziyu Liu and Shalom J. Wind and Vittorio Pellegrini and Ken W. West and Saeed Fallahi and Loren N. Pfeiffer and Michael J. Manfra and Aron Pinczuk},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.14197},
year = {2021}
}
备注
11 pages, 4 figures, and Supplementary Material