在无扭转莫尔超晶格中实现一维电子平带
介观与纳米尺度物理
2022-06-22 v1 材料科学
摘要
二维电子平带及其诱导的关联电子相互作用已在六边形范德华莫尔超晶格的层间区域中被发现、探测和调控。然而，通过二维莫尔干涉制备各向异性的一维关联能带仍然是一个挑战。在此，我们报告了在由原位生长、范德华堆叠的双原子层厚 Bi(110) 与 SnSe(001) 衬底良好对齐所组成的各向异性矩形莫尔超晶格中，于费米能级附近实验发现一维电子平带。对齐的 Bi 和 SnSe 锯齿形原子链之间的外延晶格失配引起了强烈的三维各向异性原子弛豫，并伴随相关的一维面外和面内应变分布，这些分布体现在 Bi(110) 层的电子能带中，并通过扫描探针显微镜和密度泛函理论联合表征。在最强的面外剪切应变区域，实验上观察到并在我们的计算中定义了一系列费米能级附近的一维平带。我们证实，一维平带可以在没有相对层扭转的莫尔超晶格中产生，而仅通过晶格应变。我们推广了利用晶格失配矩形异质双层中的应变来工程化关联各向异性电子能带的策略。
引用
@article{arxiv.2206.09354,
title = {Realization of one-dimensional electronic flat bands in an untwisted moire superlattice},
author = {Yafei Li and Qing Yuan and Deping Guo and Cancan Lou and Xingxia Cui and Guangqiang Mei and Hrvoje Petek and Limin Cao and Wei Ji and Min Feng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.09354},
year = {2022}
}
备注
4 figures and 10 supplementary figures