转移石墨烯中霍尔电阻的精确量子化
介观与纳米尺度物理
2012-04-24 v2
摘要
我们展示了转移石墨烯制成的量子电阻标准达到了半导体器件（计量学中的当前参考系统）的不确定度。一个大的石墨烯器件（150×30 μm²），通过剥离并转移到GaAs上，显示出量化精度为(-5.1±6.3)×10⁻⁹，同时纵向电阻在超过10 μA的电流水平下消失。虽然此前只有外延生长石墨烯实现了这种性能，但我们的实验表明，对于剥离石墨烯或化学气相沉积（CVD）生长的石墨烯不可避免的转移步骤，与高质量量子电阻标准的要求是兼容的。
引用
@article{arxiv.1203.1798,
title = {Precision quantization of Hall resistance in transferred graphene},
author = {Mirosław Woszczyna and Miriam Friedemann and Martin Götz and Eckart Pesel and Klaus Pierz and Thomas Weimann and Franz J. Ahlers},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.1798},
year = {2012}
}