星-网形量化霍尔阵列电阻器件
介观与纳米尺度物理
2023-04-25 v1 材料科学
摘要
石墨烯基技术的发展推进了直流电阻计量学的进步。由外延生长石墨烯制成的器件已取代基于 GaAs 的对应器件，使欧姆的实现更简便且更易获取。通过优化生长规模，已能制造标称值在 1 k{\Omega} 到 1.29 M{\Omega} 之间的量化霍尔阵列电阻标准 (QHARS)。其中一种 QHARS 器件设计容纳约 1.01 M{\Omega} 的值，这使其成为验证石墨烯基 QHARS 器件适用于构成 wye-delta 电阻网络的概念证明的理想候选。本工作中，由于 wye-delta 变换（其本身是星-网形变换的特例），1.01 M{\Omega} 阵列输出近 20.6 M{\Omega}。这些数学等价原理允许将 QHR 扩展到 100 M{\Omega} 和 10 G{\Omega} 电阻水平，且所需阵列元件少于单个含更多串联元件的阵列。1.01 M{\Omega} 器件显示出 wye-delta 变换可缩短校准链的希望，且更重要的是提供一条更直达量子 SI 的链。
引用
@article{arxiv.2304.11243,
title = {Star-Mesh Quantized Hall Array Resistance Devices},
author = {Dean G. Jarrett and Ching-Chen Yeh and Shamith U. Payagala and Alireza R. Panna and Yanfei Yang and Linli Meng and Swapnil M. Mhatre and Ngoc Thanh Mai Tran and Heather M. Hill and Dipanjan Saha and Randolph E. Elmquist and David B. Newell and Albert F. Rigosi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.11243},
year = {2023}
}