基于外延石墨烯和六方氮化硼的磁电阻结
介观与纳米尺度物理
2009-07-24 v1 材料科学
摘要
我们提出单层外延石墨烯和六方氮化硼（h-BN）作为磁电阻结的极限厚度共价间隔层。使用第一性原理方法，我们研究了基于具有（111）面心立方（fcc）或（0001）六方密堆积（hcp）铁磁过渡金属的结构明确定界面的此类结的结构、磁性和自旋输运性质。我们发现，对于某些化学成分，其具有低电阻面积乘积、跨界面的强交换耦合以及超过100%的磁电阻比。这些性质可以进行微调，使得所提出的结在纳米尺度自旋电子学应用中具有吸引力。
引用
@article{arxiv.0907.3952,
title = {Magnetoresistive junctions based on epitaxial graphene and hexagonal boron nitride},
author = {Oleg V. Yazyev and Alfredo Pasquarello},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.3952},
year = {2009}
}
备注
5 pages