作为理想自旋注入器的 Ni(111)|Graphene|h-BN 结
材料科学
2016-11-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
最近已证实可在六方氮化硼 上沉积石墨烯，而目前在镍 上生长石墨烯已是常规操作。由于石墨、h-BN、类石墨 BC2N 的面内晶格常数与 Co、Ni 和 Cu 的密排表面几乎完美匹配，因此应该有可能在这些材料之间制备出理想的界面，它们分别为半金属、绝缘体、半导体、铁磁金属和非磁性金属。利用无参数能量最小化与电子输运计算，我们展示了如何将 h-BN 与 Ni|石墨和 Co|石墨界面的完美自旋过滤特性相结合，以制造出具有任意所需电阻-面积乘积的完美隧道结或理想自旋注入器。
引用
@article{arxiv.1110.5291,
title = {Ni(111)|Graphene|h-BN Junctions as Ideal Spin Injectors},
author = {Volodymyr M. Karpan and Petr A. Khomyakov and Gianluca Giovannetti and Anton A. Starikov and Paul J. Kelly},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.5291},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 4 figures. Accepted for publication in Physical Review B