基于外延石墨烯 p-n 结的可编程量子电阻标准设计
介观与纳米尺度物理
2022-01-12 v1 材料科学
摘要
我们报道了使用剥离的六方氮化硼（h-BN）作为栅介质制备并测量的顶栅外延石墨烯 p-n 结。单个结的四端纵向电阻在冯·克利青常数 R_K 处良好量子化，相对不确定度为 10^-7。在探索了大量参数空间后，我们总结了这些器件可作为潜在电阻标准工作的条件。此外，我们利用外部栅控提出了跨越六个数量级的可编程电阻标准的设计。
引用
@article{arxiv.2201.03621,
title = {Designs for programmable quantum resistance standards based on epitaxial graphene p-n junctions},
author = {Jiuning Hu and Albert F. Rigosi and Mattias Kruskopf and Yanfei Yang and Bi-Yi Wu and Jifa Tian and Alireza R. Panna and Hsin-Yen Lee and Shamith U. Payagala and George R. Jones and Marlin E. Kraft and Dean G. Jarrett and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Randolph E. Elmquist and David B. Newell},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.03621},
year = {2022}
}