大规模五结与七结外延石墨烯器件
介观与纳米尺度物理
2022-03-29 v2
摘要
在毫米级石墨烯p-n结器件上使用多个电流端子，使得能够在i=2平台处测量量子化霍尔电阻的许多非典型分数倍。这些分数呈a/b R_H形式，可通过解析与仿真两种方式确定。这些实验验证了近期类似工作中提出的LTspice电路模拟器或解析框架的使用。此外，多个具有大规模结的器件的生产，证实了使用简单紫外光刻获得足够锐利结的方法。
引用
@article{arxiv.2203.06489,
title = {Large-scale five- and seven-junction epitaxial graphene devices},
author = {Dinesh Patel and Martina Marzano and Chieh-I Liu and Heather M. Hill and Mattias Kruskopf and Hanbyul Jin and Jiuning Hu and David B. Newell and Chi-Te Liang and Randolph Elmquist and Albert F. Rigosi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.06489},
year = {2022}
}